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Si5980DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
2.0
1.5
I D = 0.4 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.0
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.5
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
4
5
6
7
8
9
10
4.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
25
3.5
3.0
I D = 250 μA
20
15
10
2.5
5
2.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1 0 0 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
www.vishay.com
4
0.1
1 10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
100
Document Number: 65576
S10-0033-Rev. A, 11-Jan-10
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